产品介绍
巴塔查里亚表示,这一装置具有广泛的应用前景,特别是在光学激光有如此多的应用场景,如在传感和信息处理方面的应用,并且其应用前景仍在不断拓展。
近年来,牛智川研究员带领的研究团队在国家973重大科学研究计划、国家自然科学基金委重大项目及重点项目等的支持下,深入研究了锑化物半导体的材料基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,系统性掌握了锑化物**阱、**晶格低维材料物理特性理论分析和分子束外延生长方法,在突破了锑化物**阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术基础上,创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构成功实现了2μm波段高性能单模激光器,边模抑制比达到53dB是目前同类器件的较高值,同时输出功率达到40mW是目前同类器件的3倍以上。相关成果在Appl.Phys.Lett.114,021102(2019)发表后立刻被国际*《化合物半导体,Compound Semiconductor 2019年*2期》长篇报道,指出:“该单模激光器开创性提升边模抑制比,为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。
随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步,国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速。上述锑化物半导体激光器研究成果突破了短波红外激光器技术领域长期卡脖子核心技术,将在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多**产业发挥重要价值。
2.79μm高重复频率高峰值功率调Q激光器研究中取得进展
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